Transistor bipolaire BC859CW

Caractéristiques électriques du transistor BC859CW

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -30 V
  • Tension collecteur-base maximum: -30 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.2 W
  • Gain de courant (hfe): 420 à 800
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Figure de bruit maximum: 1 dB
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-323

Brochage du BC859CW

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BC859CW peut avoir un gain en courant continu de 420 à 800. Le gain en courant continu du BC859AW est compris entre 110 à 220, celui du BC859BW entre 200 à 450, celui du BC859W entre 110 à 800.

Complémentaire du transistor BC859CW

Le transistor NPN complémentaire du BC859CW est le BC849CW.

Substituts et équivalents pour le transistor BC859CW

Vous pouvez remplacer le transistor BC859CW par BC857CW, BC857W, BC858CW, BC858W, BC860CW ou BC860W.
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