Transistor bipolaire BC858CW

Caractéristiques électriques du transistor BC858CW

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -30 V
  • Tension collecteur-base maximum: -30 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.2 W
  • Gain de courant (hfe): 420 à 800
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Figure de bruit maximum: 2 dB
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-323

Brochage du BC858CW

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor BC858CW peut avoir un gain en courant continu de 420 à 800. Le gain en courant continu du BC858AW est compris entre 110 à 220, celui du BC858BW entre 200 à 450, celui du BC858W entre 110 à 800.

Complémentaire du transistor BC858CW

Le transistor NPN complémentaire du BC858CW est le BC848CW.

Substituts et équivalents pour le transistor BC858CW

Vous pouvez remplacer le transistor BC858CW par BC857CW, BC857W, BC859CW, BC859W, BC860CW ou BC860W.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com