Transistor bipolaire 2SD826-G

Caractéristiques électriques du transistor 2SD826-G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 20 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 280 à 560
  • Fréquence de transition minimum: 120 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2SD826-G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD826-G peut avoir un gain en courant continu de 280 à 560. Le gain en courant continu du 2SD826 est compris entre 120 à 560, celui du 2SD826-E entre 120 à 200, celui du 2SD826-F entre 160 à 320.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD826-G peut n'être marqué que D826-G.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD826-G

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD826-G par 2SC3420, 2SC6101, 2SC6102, 2SD1685 ou 2SD1685-G.
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