Caractéristiques électriques du transistor 2SD809-K
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
Tension collecteur-base maximum: 100 V
Tension émetteur-base maximum: 6 V
Courant collecteur continu maximum: 1 A
Dissipation de puissance maximum: 10 W
Gain de courant (hfe): 200 à 400
Fréquence de transition minimum: 85 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-126
Brochage du 2SD809-K
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD809-K peut avoir un gain en courant continu de 200 à 400. Le gain en courant continu du 2SD809 est compris entre 135 à 600, celui du 2SD809-E entre 360 à 600, celui du 2SD809-F entre 300 à 480, celui du 2SD809-L entre 135 à 270.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD809-K peut n'être marqué que D809-K.
Version SMD du transistor 2SD809-K
Le 2SD1615A (SOT-89) et 2SD1615A-GP (SOT-89) est la version SMD du transistor 2SD809-K.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD809-K