Transistor bipolaire 2SD1615A-GP
Caractéristiques électriques du transistor 2SD1615A-GP
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
- Tension collecteur-base maximum: 120 V
- Tension émetteur-base maximum: 6 V
- Courant collecteur continu maximum: 1 A
- Dissipation de puissance maximum: 2 W
- Gain de courant (hfe): 200 à 400
- Fréquence de transition minimum: 160 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: SOT-89
Brochage du 2SD1615A-GP
Classification de hFE
Marquage
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1615A-GP
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