Transistor bipolaire 2SD1906-R

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1906-R

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 90 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 30 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-262

Brochage du 2SD1906-R

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1906-R peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SD1906 est compris entre 70 à 280, celui du 2SD1906-Q entre 70 à 140, celui du 2SD1906-S entre 140 à 280.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1906-R peut n'être marqué que D1906-R.

Complémentaire du transistor 2SD1906-R

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1906-R est le 2SB1270-R.

Version SMD du transistor 2SD1906-R

Le BDP951 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SD1906-R.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1906-R

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1906-R par 2SD1907 ou 2SD1907-R.
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