Caractéristiques électriques du transistor 2SD1712-Q
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
Tension collecteur-base maximum: 100 V
Tension émetteur-base maximum: 5 V
Courant collecteur continu maximum: 5 A
Dissipation de puissance maximum: 60 W
Gain de courant (hfe): 60 à 120
Fréquence de transition minimum: 20 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-3PF
Brochage du 2SD1712-Q
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD1712-Q peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SD1712 est compris entre 60 à 200, celui du 2SD1712-P entre 100 à 200, celui du 2SD1712-S entre 80 à 160.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1712-Q peut n'être marqué que D1712-Q.
Complémentaire du transistor 2SD1712-Q
Le transistor PNP complémentaire du 2SD1712-Q est le 2SB1157-Q.
Version SMD du transistor 2SD1712-Q
Le BDP953 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SD1712-Q.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1712-Q