Transistor bipolaire 2SD1712-Q

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1712-Q

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
  • Tension collecteur-base maximum: 100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 60 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 120
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3PF

Brochage du 2SD1712-Q

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1712-Q peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SD1712 est compris entre 60 à 200, celui du 2SD1712-P entre 100 à 200, celui du 2SD1712-S entre 80 à 160.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1712-Q peut n'être marqué que D1712-Q.

Complémentaire du transistor 2SD1712-Q

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1712-Q est le 2SB1157-Q.

Version SMD du transistor 2SD1712-Q

Le BDP953 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SD1712-Q.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1712-Q

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1712-Q par 2SC2681, 2SC2681-R, 2SC4388, 2SC4886, 2SC5100, 2SC5101, 2SD1485, 2SD1485-Q, 2SD1486, 2SD1486-Q, 2SD1487, 2SD1487-Q, 2SD1488, 2SD1488-Q, 2SD1713, 2SD1713-Q, 2SD1714, 2SD1714-Q, 2SD1715, 2SD1715-Q, 2SD1716, 2SD1716-Q ou FJAF4310.
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