Caractéristiques électriques du transistor 2SD1273Q
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
Tension collecteur-base maximum: 80 V
Tension émetteur-base maximum: 6 V
Courant collecteur continu maximum: 3 A
Dissipation de puissance maximum: 40 W
Gain de courant (hfe): 500 à 1000
Fréquence de transition minimum: 50 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220F
Brochage du 2SD1273Q
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD1273Q peut avoir un gain en courant continu de 500 à 1000. Le gain en courant continu du 2SD1273 est compris entre 500 à 2500, celui du 2SD1273O entre 1200 à 2500, celui du 2SD1273P entre 800 à 1500.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1273Q peut n'être marqué que D1273Q.
Complémentaire du transistor 2SD1273Q
Le transistor PNP complémentaire du 2SD1273Q est le 2SB1299Q.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1273Q