Transistor bipolaire 2SB1299Q

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1299Q

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -3 A
  • Dissipation de puissance maximum: 40 W
  • Gain de courant (hfe): 300 à 500
  • Fréquence de transition minimum: 30 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F

Brochage du 2SB1299Q

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1299Q peut avoir un gain en courant continu de 300 à 500. Le gain en courant continu du 2SB1299 est compris entre 300 à 700, celui du 2SB1299P entre 400 à 700.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1299Q peut n'être marqué que B1299Q.

Complémentaire du transistor 2SB1299Q

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1299Q est le 2SD1273Q.

Version SMD du transistor 2SB1299Q

Le BDP950 (SOT-223) et NZT660A (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB1299Q.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1299Q

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1299Q par 2SA1262, 2SA1488, 2SA1488A, 2SA770, 2SA771, BD204, BD242A, BD242B, BD242C, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD536, BD538, BD540A, BD540B, BD540C, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD950, BD952, BD954, BD956, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8, D45C9, D45H11, D45H11FP, D45H8, MJE15029 ou MJE15029G.
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