Caractéristiques électriques du transistor 2SB1299Q
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
Tension collecteur-base maximum: -60 V
Tension émetteur-base maximum: -6 V
Courant collecteur continu maximum: -3 A
Dissipation de puissance maximum: 40 W
Gain de courant (hfe): 300 à 500
Fréquence de transition minimum: 30 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220F
Brochage du 2SB1299Q
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SB1299Q peut avoir un gain en courant continu de 300 à 500. Le gain en courant continu du 2SB1299 est compris entre 300 à 700, celui du 2SB1299P entre 400 à 700.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1299Q peut n'être marqué que B1299Q.
Complémentaire du transistor 2SB1299Q
Le transistor NPN complémentaire du 2SB1299Q est le 2SD1273Q.
Version SMD du transistor 2SB1299Q
Le BDP950 (SOT-223) et NZT660A (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SB1299Q.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1299Q