Caractéristiques électriques du transistor 2SD1266-O
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
Tension collecteur-base maximum: 60 V
Tension émetteur-base maximum: 6 V
Courant collecteur continu maximum: 3 A
Dissipation de puissance maximum: 35 W
Gain de courant (hfe): 160 à 320
Fréquence de transition minimum: 30 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-220F
Brochage du 2SD1266-O
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SD1266-O peut avoir un gain en courant continu de 160 à 320. Le gain en courant continu du 2SD1266 est compris entre 70 à 320, celui du 2SD1266-P entre 120 à 250, celui du 2SD1266-Q entre 70 à 150.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1266-O peut n'être marqué que D1266-O.
Version SMD du transistor 2SD1266-O
Le BDP949 (SOT-223) et FZT692B (SOT-223) est la version SMD du transistor 2SD1266-O.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1266-O