Transistor bipolaire 2SD1235

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1235

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 30 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 30 W
  • Gain de courant (hfe): 70 à 280
  • Fréquence de transition minimum: 120 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2SD1235

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1235 peut avoir un gain en courant continu de 70 à 280. Le gain en courant continu du 2SD1235-Q est compris entre 70 à 140, celui du 2SD1235-R entre 100 à 200, celui du 2SD1235-S entre 140 à 280.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1235 peut n'être marqué que D1235.

Complémentaire du transistor 2SD1235

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1235 est le 2SB919.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1235

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1235 par 2SC3255, 2SC3748, 2SD1062, 2SD1212, 2SD1669, BD201, BD203, BD301, BD303, BD533, BD535, BD543, BD543A, BD545, BD545A, BD795, BD797, BD807, BDT81, BDT81F ou D44H8.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com