Transistor bipolaire 2SB919

Caractéristiques électriques du transistor 2SB919

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -30 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 30 W
  • Gain de courant (hfe): 70 à 280
  • Fréquence de transition minimum: 120 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2SB919

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB919 peut avoir un gain en courant continu de 70 à 280. Le gain en courant continu du 2SB919-Q est compris entre 70 à 140, celui du 2SB919-R entre 100 à 200, celui du 2SB919-S entre 140 à 280.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB919 peut n'être marqué que B919.

Complémentaire du transistor 2SB919

Le transistor NPN complémentaire du 2SB919 est le 2SD1235.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB919

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB919 par 2SA1291, 2SA1471, 2SB1136, 2SB826, 2SB903, BD202, BD204, BD302, BD304, BD534, BD536, BD544, BD544A, BD546, BD546A, BD796, BD798, BD808, BDT82, BDT82F ou D45H8.
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