Transistor bipolaire 2SD1193
Caractéristiques électriques du transistor 2SD1193
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
- Tension collecteur-base maximum: 70 V
- Tension émetteur-base maximum: 6 V
- Courant collecteur continu maximum: 15 A
- Dissipation de puissance maximum: 70 W
- Gain de courant (hfe): 2000
- Fréquence de transition minimum: 20 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-3P
Brochage du 2SD1193
Marquage
Complémentaire du transistor 2SD1193
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