Transistor bipolaire 2SB883

Caractéristiques électriques du transistor 2SB883

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -70 V
  • Tension émetteur-base maximum: -6 V
  • Courant collecteur continu maximum: -15 A
  • Dissipation de puissance maximum: 70 W
  • Gain de courant (hfe): 2000
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3P

Brochage du 2SB883

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB883 peut n'être marqué que B883.

Complémentaire du transistor 2SB883

Le transistor NPN complémentaire du 2SB883 est le 2SD1193.
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