Transistor bipolaire 2SD1006-HL

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1006-HL

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -100 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 2 W
  • Gain de courant (hfe): 135 à 270
  • Fréquence de transition minimum: 90 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-89

Brochage du 2SD1006-HL

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1006-HL peut avoir un gain en courant continu de 135 à 270. Le gain en courant continu du 2SD1006 est compris entre 90 à 400, celui du 2SD1006-HK entre 200 à 400, celui du 2SD1006-HM entre 90 à 180.

Marquage

Le transistor 2SD1006-HL est marqué "HL".

Complémentaire du transistor 2SD1006-HL

Le transistor NPN complémentaire du 2SD1006-HL est le 2SB805-KL.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1006-HL

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1006-HL par 2SB805, 2SB805-KL, 2SB806, 2SB806-KQ, 2SD1007, 2SD1007-HQ ou PBHV9115X.
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