Transistor bipolaire 2SD1007-HQ

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1007-HQ

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
  • Tension collecteur-base maximum: -120 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 2 W
  • Gain de courant (hfe): 135 à 270
  • Fréquence de transition minimum: 90 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-89

Brochage du 2SD1007-HQ

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1007-HQ peut avoir un gain en courant continu de 135 à 270. Le gain en courant continu du 2SD1007 est compris entre 90 à 400, celui du 2SD1007-HP entre 200 à 400, celui du 2SD1007-HR entre 90 à 180.

Marquage

Le transistor 2SD1007-HQ est marqué "HQ".

Complémentaire du transistor 2SD1007-HQ

Le transistor NPN complémentaire du 2SD1007-HQ est le 2SB806-KQ.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1007-HQ

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1007-HQ par 2SB806, 2SB806-KQ ou PBHV9115X.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com