Transistor bipolaire 2SD1006-HK

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1006-HK

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -100 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 2 W
  • Gain de courant (hfe): 200 à 400
  • Fréquence de transition minimum: 90 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-89

Brochage du 2SD1006-HK

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SD1006-HK peut avoir un gain en courant continu de 200 à 400. Le gain en courant continu du 2SD1006 est compris entre 90 à 400, celui du 2SD1006-HL entre 135 à 270, celui du 2SD1006-HM entre 90 à 180.

Marquage

Le transistor 2SD1006-HK est marqué "HK".

Complémentaire du transistor 2SD1006-HK

Le transistor NPN complémentaire du 2SD1006-HK est le 2SB805-KK.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1006-HK

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1006-HK par 2SB805, 2SB805-KK, 2SB806, 2SB806-KP, 2SD1007, 2SD1007-HP ou PBHV9115X.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com