Transistor bipolaire 2SB806-KP

Caractéristiques électriques du transistor 2SB806-KP

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -120 V
  • Tension collecteur-base maximum: -120 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 2 W
  • Gain de courant (hfe): 200 à 400
  • Fréquence de transition minimum: 75 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: SOT-89

Brochage du 2SB806-KP

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB806-KP peut avoir un gain en courant continu de 200 à 400. Le gain en courant continu du 2SB806 est compris entre 90 à 400, celui du 2SB806-KQ entre 135 à 270, celui du 2SB806-KR entre 90 à 180.

Marquage

Le transistor 2SB806-KP est marqué "KP".

Complémentaire du transistor 2SB806-KP

Le transistor NPN complémentaire du 2SB806-KP est le 2SD1007-HP.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB806-KP

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB806-KP par 2SD1007, 2SD1007-HP ou PBHV9115X.
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