Caractéristiques électriques du transistor 2SC3181N-O
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 120 V
Tension collecteur-base maximum: 120 V
Tension émetteur-base maximum: 5 V
Courant collecteur continu maximum: 8 A
Dissipation de puissance maximum: 80 W
Gain de courant (hfe): 55 à 160
Fréquence de transition minimum: 30 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-3P
Brochage du 2SC3181N-O
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SC3181N-O peut avoir un gain en courant continu de 55 à 160. Le gain en courant continu du 2SC3181N est compris entre 55 à 160, celui du 2SC3181N-R entre 55 à 110.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SC3181N-O peut n'être marqué que C3181N-O.
Complémentaire du transistor 2SC3181N-O
Le transistor PNP complémentaire du 2SC3181N-O est le 2SA1264N-O.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SC3181N-O
