Transistor bipolaire KTD998

Caractéristiques électriques du transistor KTD998

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 120 V
  • Tension collecteur-base maximum: 120 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 80 W
  • Gain de courant (hfe): 55 à 160
  • Fréquence de transition minimum: 10 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3P
  • Electrically Similar to the Popular 2SD998 transistor

Brochage du KTD998

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor KTD998 peut avoir un gain en courant continu de 55 à 160. Le gain en courant continu du KTD998-O est compris entre 80 à 160, celui du KTD998-R entre 55 à 110.

Complémentaire du transistor KTD998

Le transistor PNP complémentaire du KTD998 est le KTB778.

Substituts et équivalents pour le transistor KTD998

Vous pouvez remplacer le transistor KTD998 par 2SC2581, 2SC2706, 2SC2837, 2SC3182, 2SC3182-O, 2SC3280, 2SC3281, 2SC3284, 2SC3519, 2SC3519A, 2SC3519A-O, 2SC3519A-P, 2SC3519A-Y, 2SC3855, 2SC3907, 2SC4468, 2SC5198, 2SC5199, 2SC5200, 2SC5200N, 2SC5358, 2SC5948, 2SC5949, 2SC6011, 2SC6011A, 2SC6011A-O, 2SC6011A-P, 2SC6011A-Y, 2SD1148, 2SD2155, 2SD998, FJA4310, KTC5200, KTC5200A, KTC5242, KTC5242A, KTD718, KTD718B, MJW3281A, MJW3281AG ou NTE2328.
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