Transistor bipolaire 2SC2000-M

Caractéristiques électriques du transistor 2SC2000-M

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 50 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.6 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 80
  • Fréquence de transition minimum: 70 MHz
  • Figure de bruit maximum: 3 dB
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du 2SC2000-M

Le 2SC2000-M est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SC2000-M peut avoir un gain en courant continu de 40 à 80. Le gain en courant continu du 2SC2000 est compris entre 40 à 180, celui du 2SC2000-K entre 90 à 180, celui du 2SC2000-L entre 60 à 120.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SC2000-M peut n'être marqué que C2000-M.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SC2000-M

Vous pouvez remplacer le transistor 2SC2000-M par BC637, BC639, KSC1008C, KSC1008CR, KSC2331 ou KSC2331R.
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