Transistor bipolaire BC637

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
• Tension collecteur-base maximum: 60 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.625 W
• Gain de courant (h_fe): 40 à 160
• Fréquence de transition minimum: 200 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-92

Le BC637 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du BC637 est le BC638.Vous pouvez remplacer le transistor BC637 par BC639, KSC1008C ou KSC2331.