Caractéristiques électriques du transistor 2SC1209-D
Type de transistor: NPN
Tension collecteur-émetteur maximum: 20 V
Tension collecteur-base maximum: 25 V
Tension émetteur-base maximum: 4 V
Courant collecteur continu maximum: 0.7 A
Dissipation de puissance maximum: 0.5 W
Gain de courant (hfe): 90 à 180
Fréquence de transition minimum: 150 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +125 °C
Boîtier: TO-92
Brochage du 2SC1209-D
Le 2SC1209-D est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, la base et le collecteur. Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SC1209-D peut avoir un gain en courant continu de 90 à 180. Le gain en courant continu du 2SC1209 est compris entre 55 à 300, celui du 2SC1209-C entre 55 à 110, celui du 2SC1209-E entre 150 à 300.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SC1209-D peut n'être marqué que C1209-D.
Complémentaire du transistor 2SC1209-D
Le transistor PNP complémentaire du 2SC1209-D est le 2SA695-D.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SC1209-D
