Transistor bipolaire 2SB647D

Caractéristiques électriques du transistor 2SB647D

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -120 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.9 W
  • Gain de courant (hfe): 160 à 320
  • Fréquence de transition minimum: 140 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92MOD

Brochage du 2SB647D

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB647D peut avoir un gain en courant continu de 160 à 320. Le gain en courant continu du 2SB647 est compris entre 60 à 320, celui du 2SB647B entre 60 à 120, celui du 2SB647C entre 100 à 200.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB647D peut n'être marqué que B647D.

Complémentaire du transistor 2SB647D

Le transistor NPN complémentaire du 2SB647D est le 2SD667D.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB647D

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB647D par 2SA1275, 2SA1275-Y, KSA1013, KSA1013Y, KTA1275, KTA1275Y ou NTE383.
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