Transistor bipolaire NTE383

Caractéristiques électriques du transistor NTE383

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -120 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.9 W
  • Gain de courant (hfe): 160 à 320
  • Fréquence de transition minimum: 140 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du NTE383

Le NTE383 est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor NTE383

Le transistor NPN complémentaire du NTE383 est le NTE382.

Version SMD du transistor NTE383

Le 2SB806 (SOT-89) et 2SD1007 (SOT-89) est la version SMD du transistor NTE383.

Substituts et équivalents pour le transistor NTE383

Vous pouvez remplacer le transistor NTE383 par 2SA1275, 2SA1275-Y, KSA1013, KSA1013Y, KTA1275 ou KTA1275Y.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com