Caractéristiques électriques du transistor 2SB621-Q
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -25 V
Tension collecteur-base maximum: -30 V
Tension émetteur-base maximum: -5 V
Courant collecteur continu maximum: -1 A
Dissipation de puissance maximum: 0.75 W
Gain de courant (hfe): 85 à 170
Fréquence de transition minimum: 200 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-92
Brochage du 2SB621-Q
Le 2SB621-Q est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base. Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SB621-Q peut avoir un gain en courant continu de 85 à 170. Le gain en courant continu du 2SB621 est compris entre 85 à 340, celui du 2SB621-R entre 120 à 240, celui du 2SB621-S entre 170 à 340.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB621-Q peut n'être marqué que B621-Q.
Complémentaire du transistor 2SB621-Q
Le transistor NPN complémentaire du 2SB621-Q est le 2SD592-Q.