Transistor bipolaire 2SB559-F

Caractéristiques électriques du transistor 2SB559-F

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -18 V
  • Tension collecteur-base maximum: -20 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1.2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 8 W
  • Gain de courant (hfe): 160 à 320
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2SB559-F

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB559-F peut avoir un gain en courant continu de 160 à 320. Le gain en courant continu du 2SB559 est compris entre 60 à 320, celui du 2SB559-D entre 60 à 120, celui du 2SB559-E entre 100 à 200.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB559-F peut n'être marqué que B559-F.

Complémentaire du transistor 2SB559-F

Le transistor NPN complémentaire du 2SB559-F est le 2SD439-F.

Version SMD du transistor 2SB559-F

Le 2SA1365 (SOT-23), 2SA1365-E (SOT-23), BCX69 (SOT-89) et BCX69-25 (SOT-89) est la version SMD du transistor 2SB559-F.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB559-F

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB559-F par 2SA1120, 2SA1357, 2SA1357-Y, 2SA715, 2SA715-D, 2SA738, 2SB1009, 2SB1127, 2SB1140, 2SB1141, 2SB743, 2SB743-P, 2SB772, 2SB772P, 2SB772Y, BD186, KSB772, KSB772-Y, KSH772, KSH772-Y, KTB772, KTB772-Y ou MJE370.
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