Transistor bipolaire 2SB549-R

Caractéristiques électriques du transistor 2SB549-R

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -120 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.8 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 60 à 120
  • Fréquence de transition minimum: 70 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2SB549-R

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB549-R peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SB549 est compris entre 40 à 320, celui du 2SB549-P entre 160 à 320, celui du 2SB549-Q entre 100 à 200, celui du 2SB549-S entre 40 à 80.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB549-R peut n'être marqué que B549-R.

Complémentaire du transistor 2SB549-R

Le transistor NPN complémentaire du 2SB549-R est le 2SD415-R.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB549-R

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB549-R par 2SA1021, 2SA1021-R, 2SA1220, 2SA1220-R, 2SA1220A, 2SA1220A-R, 2SA1408, 2SA1408-R, 2SB631, 2SB631-D, 2SB631K, 2SB631K-D, 2SB649, 2SB649-B, 2SB649A, 2SB649A-B, BD792, KSA1220, KSA1220-R, KSA1220A, KSA1220A-R, MJE253, MJE253G ou MJE254.
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