Transistor bipolaire 2SB631-D

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
• Tension collecteur-base maximum: -100 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -1 A
• Dissipation de puissance maximum: 8 W
• Gain de courant (h_fe): 60 à 120
• Fréquence de transition minimum: 130 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SB631-D peut avoir un gain en courant continu de 60 à 120. Le gain en courant continu du 2SB631 est compris entre 60 à 320, celui du 2SB631-E entre 100 à 200, celui du 2SB631-F entre 160 à 320.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB631-D peut n'être marqué que B631-D.Le transistor NPN complémentaire du 2SB631-D est le 2SD600-D.Le 2SA1368 (SOT-89) et 2SA1368-C (SOT-89) est la version SMD du transistor 2SB631-D.Vous pouvez remplacer le transistor 2SB631-D par 2SA1021, 2SA1021-R, 2SA1220, 2SA1220-R, 2SA1220A, 2SA1220A-R, 2SA1408, 2SA1408-R, 2SB631K, 2SB631K-D, 2SB649, 2SB649-B, 2SB649A, 2SB649A-B, BD792, KSA1220, KSA1220-R, KSA1220A, KSA1220A-R, MJE253, MJE253G ou MJE254.