Transistor bipolaire 2SB511

Caractéristiques électriques du transistor 2SB511

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -35 V
  • Tension collecteur-base maximum: -35 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -1.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 320
  • Fréquence de transition minimum: 8 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2SB511

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB511 peut avoir un gain en courant continu de 40 à 320. Le gain en courant continu du 2SB511-C est compris entre 40 à 80, celui du 2SB511-D entre 60 à 120, celui du 2SB511-E entre 100 à 200, celui du 2SB511-F entre 160 à 320.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB511 peut n'être marqué que B511.

Complémentaire du transistor 2SB511

Le transistor NPN complémentaire du 2SB511 est le 2SD325.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB511

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB511 par 2SA1262, 2SA1488, 2SA770, 2SB507, 2SB514, BD202, BD204, BD240, BD240A, BD242, BD242A, BD244, BD244A, BD302, BD304, BD534, BD536, BD540, BD540A, BD736, BD738, BD796, BD798, BD808, BD950, BDT82, BDT82F, D44C4, D44C5, D44C6, D44C7, D44C8, D44C9, D45C4, D45C5, D45C6, D45C7, D45C8 ou D45C9.
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