Transistor bipolaire 2SB1056-R

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1056-R

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -140 V
  • Tension collecteur-base maximum: -140 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 80 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 80
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3PF

Brochage du 2SB1056-R

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1056-R peut avoir un gain en courant continu de 40 à 80. Le gain en courant continu du 2SB1056 est compris entre 40 à 200, celui du 2SB1056-P entre 100 à 200, celui du 2SB1056-Q entre 60 à 120.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1056-R peut n'être marqué que B1056-R.

Complémentaire du transistor 2SB1056-R

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1056-R est le 2SD1487-R.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1056-R

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1056-R par 2SB1057 ou 2SB1057-R.
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