Transistor bipolaire 2SB1057-R

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1057-R

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -150 V
  • Tension collecteur-base maximum: -150 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -9 A
  • Dissipation de puissance maximum: 100 W
  • Gain de courant (hfe): 40 à 80
  • Fréquence de transition minimum: 20 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-3PF

Brochage du 2SB1057-R

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB1057-R peut avoir un gain en courant continu de 40 à 80. Le gain en courant continu du 2SB1057 est compris entre 40 à 200, celui du 2SB1057-P entre 100 à 200, celui du 2SB1057-Q entre 60 à 120.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1057-R peut n'être marqué que B1057-R.
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