Transistor bipolaire 2SA1127-T
Caractéristiques électriques du transistor 2SA1127-T
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -55 V
- Tension collecteur-base maximum: -60 V
- Tension émetteur-base maximum: -7 V
- Courant collecteur continu maximum: -0.1 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.4 W
- Gain de courant (hfe): 360 à 700
- Fréquence de transition minimum: 200 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
Brochage du 2SA1127-T
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Marquage
Complémentaire du transistor 2SA1127-T
Substituts et équivalents pour le transistor 2SA1127-T
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