Caractéristiques électriques du transistor 2SB726-T
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
Tension collecteur-base maximum: -80 V
Tension émetteur-base maximum: -5 V
Courant collecteur continu maximum: -0.1 A
Dissipation de puissance maximum: 0.25 W
Gain de courant (hfe): 360 à 700
Fréquence de transition minimum: 150 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-92
Brochage du 2SB726-T
Le 2SB726-T est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base. Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SB726-T peut avoir un gain en courant continu de 360 à 700. Le gain en courant continu du 2SB726 est compris entre 180 à 700, celui du 2SB726-R entre 180 à 360, celui du 2SB726-S entre 260 à 520.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB726-T peut n'être marqué que B726-T.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB726-T
