Transistor bipolaire 2SB726-T

Caractéristiques électriques du transistor 2SB726-T

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
  • Tension collecteur-base maximum: -80 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.25 W
  • Gain de courant (hfe): 360 à 700
  • Fréquence de transition minimum: 150 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du 2SB726-T

Le 2SB726-T est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB726-T peut avoir un gain en courant continu de 360 à 700. Le gain en courant continu du 2SB726 est compris entre 180 à 700, celui du 2SB726-R entre 180 à 360, celui du 2SB726-S entre 260 à 520.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB726-T peut n'être marqué que B726-T.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB726-T

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB726-T par 2SA1049, 2SA1049-BL, 2SA1081, 2SA1082, 2SA1084, 2SA1085, 2SA1269, 2SA1269-BL, 2SA1285, 2SA1285A, 2SA1316, 2SA1316-BL, 2SA970 ou 2SA970-BL.
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