Caractéristiques électriques du transistor 2SA1127-R
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -55 V
Tension collecteur-base maximum: -60 V
Tension émetteur-base maximum: -7 V
Courant collecteur continu maximum: -0.1 A
Dissipation de puissance maximum: 0.4 W
Gain de courant (hfe): 180 à 360
Fréquence de transition minimum: 200 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-92
Brochage du 2SA1127-R
Le 2SA1127-R est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base. Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SA1127-R peut avoir un gain en courant continu de 180 à 360. Le gain en courant continu du 2SA1127 est compris entre 180 à 700, celui du 2SA1127-S entre 260 à 520, celui du 2SA1127-T entre 360 à 700.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA1127-R peut n'être marqué que A1127-R.
Complémentaire du transistor 2SA1127-R
Le transistor NPN complémentaire du 2SA1127-R est le 2SC2634-R.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SA1127-R