Transistor bipolaire 2SB726-R
Caractéristiques électriques du transistor 2SB726-R
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -80 V
- Tension collecteur-base maximum: -80 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -0.1 A
- Dissipation de puissance maximum: 0.25 W
- Gain de courant (hfe): 180 à 360
- Fréquence de transition minimum: 150 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-92
Brochage du 2SB726-R
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Marquage
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB726-R
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