Transistor bipolaire 2SA1017G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
• Tension collecteur-base maximum: -120 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -0.05 A
• Dissipation de puissance maximum: 0.5 W
• Gain de courant (h_fe): 280 à 560
• Fréquence de transition minimum: 110 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-92

Le 2SA1017G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SA1017G peut avoir un gain en courant continu de 280 à 560. Le gain en courant continu du 2SA1017 est compris entre 100 à 560, celui du 2SA1017E entre 100 à 200, celui du 2SA1017F entre 160 à 320.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA1017G peut n'être marqué que A1017G.Le transistor NPN complémentaire du 2SA1017G est le 2SC2363G.Le FJV992 (SOT-23) est la version SMD du transistor 2SA1017G.Vous pouvez remplacer le transistor 2SA1017G par 2SA1016, 2SA1016G, 2SA1016K, 2SA1016KG, 2SA1049, 2SA1082, 2SA1085, 2SA1269, 2SA1285, 2SA1285A, 2SA1376, 2SA872A, 2SA970, 2SA992, 2SB715, 2SB716 ou KSA992.