Transistor bipolaire 2SA1016G

Caractéristiques électriques du transistor 2SA1016G

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -120 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -0.05 A
  • Dissipation de puissance maximum: 0.4 W
  • Gain de courant (hfe): 280 à 560
  • Fréquence de transition minimum: 110 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-92

Brochage du 2SA1016G

Le 2SA1016G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base.
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SA1016G peut avoir un gain en courant continu de 280 à 560. Le gain en courant continu du 2SA1016 est compris entre 160 à 960, celui du 2SA1016F entre 160 à 320, celui du 2SA1016H entre 480 à 960.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA1016G peut n'être marqué que A1016G.

Complémentaire du transistor 2SA1016G

Le transistor NPN complémentaire du 2SA1016G est le 2SC2326G.

Version SMD du transistor 2SA1016G

Le FJV992 (SOT-23) est la version SMD du transistor 2SA1016G.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SA1016G

Vous pouvez remplacer le transistor 2SA1016G par 2SA1016K, 2SA1016KG, 2SA1017, 2SA1017G, 2SA1049, 2SA1082, 2SA1085, 2SA1269, 2SA1285, 2SA1285A, 2SA1376, 2SA872A, 2SA970, 2SA992, 2SB715, 2SB716 ou KSA992.
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