Caractéristiques électriques du transistor 2SA1016G
Type de transistor: PNP
Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
Tension collecteur-base maximum: -120 V
Tension émetteur-base maximum: -5 V
Courant collecteur continu maximum: -0.05 A
Dissipation de puissance maximum: 0.4 W
Gain de courant (hfe): 280 à 560
Fréquence de transition minimum: 110 MHz
Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
Boîtier: TO-92
Brochage du 2SA1016G
Le 2SA1016G est fabriqué dans un boîtier plastique TO-92. Lorsque l'on regarde le côté plat avec les fils dirigés vers le bas, les trois fils sortant du transistor sont, de gauche à droite, l'émetteur, le collecteur et la base. Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Classification de hFE
Le transistor 2SA1016G peut avoir un gain en courant continu de 280 à 560. Le gain en courant continu du 2SA1016 est compris entre 160 à 960, celui du 2SA1016F entre 160 à 320, celui du 2SA1016H entre 480 à 960.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA1016G peut n'être marqué que A1016G.
Complémentaire du transistor 2SA1016G
Le transistor NPN complémentaire du 2SA1016G est le 2SC2326G.
Version SMD du transistor 2SA1016G
Le FJV992 (SOT-23) est la version SMD du transistor 2SA1016G.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SA1016G