Transistor bipolaire 2SA1006-Q

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -180 V
• Tension collecteur-base maximum: -180 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -1.5 A
• Dissipation de puissance maximum: 25 W
• Gain de courant (h_fe): 100 à 200
• Fréquence de transition minimum: 80 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor 2SA1006-Q peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SA1006 est compris entre 60 à 320, celui du 2SA1006-P entre 160 à 320, celui du 2SA1006-R entre 60 à 120.Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SA1006-Q peut n'être marqué que A1006-Q.Le transistor NPN complémentaire du 2SA1006-Q est le 2SC2336-Q.Vous pouvez remplacer le transistor 2SA1006-Q par 2SA1006A, 2SA1006A-Q, 2SA1006B, 2SA1006B-Q, 2SA1009, 2SA1009-H, 2SA1306A, 2SA1306B, 2SA1668, 2SA1859A, 2SA1930, 2SA968A, 2SA968B, 2SB630, 2SB630-Q, 2SB940A, 2SB940A-P, KTA1659A, KTA968A, KTB1369, MJE15033, MJE15033G, MJE15035, MJE15035G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851 ou MJE5851G.