Transistor bipolaire 2SB630-Q

Caractéristiques électriques du transistor 2SB630-Q

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -200 V
  • Tension collecteur-base maximum: -200 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 25 W
  • Gain de courant (hfe): 100 à 200
  • Fréquence de transition minimum: 4 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du 2SB630-Q

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Classification de hFE

Le transistor 2SB630-Q peut avoir un gain en courant continu de 100 à 200. Le gain en courant continu du 2SB630 est compris entre 40 à 200, celui du 2SB630-R entre 60 à 120, celui du 2SB630-S entre 40 à 80.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB630-Q peut n'être marqué que B630-Q.

Complémentaire du transistor 2SB630-Q

Le transistor NPN complémentaire du 2SB630-Q est le 2SD610-Q.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB630-Q

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB630-Q par 2SA1009, 2SA1009-H, 2SA1009A, 2SA1009A-H, 2SA1668, MJE15033, MJE15033G, MJE15035, MJE15035G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852 ou MJE5852G.
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