Transistor bipolaire 2N6716

Caractéristiques électriques du transistor 2N6716

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 2 A
  • Dissipation de puissance maximum: 2 W
  • Gain de courant (hfe): 50 à 250
  • Fréquence de transition minimum: 50 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-237

Brochage du 2N6716

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N6716

Le transistor PNP complémentaire du 2N6716 est le 2N6728.

Version SMD du transistor 2N6716

Le BCP55 (SOT-223) est la version SMD du transistor 2N6716.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N6716

Vous pouvez remplacer le transistor 2N6716 par 2N6717 ou 2N6718.
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