Transistor bipolaire 2N6609

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -140 V
• Tension collecteur-base maximum: -160 V
• Tension émetteur-base maximum: -7 V
• Courant collecteur continu maximum: -16 A
• Dissipation de puissance maximum: 150 W
• Gain de courant (h_fe): 15 à 60
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du 2N6609 est le 2N3773.Vous pouvez remplacer le transistor 2N6609 par 2N6031, MJ15023, MJ15023G, MJ15025 ou MJ15025G.