Transistor bipolaire 2N6551

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
• Tension collecteur-base maximum: 60 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 1 A
• Dissipation de puissance maximum: 10 W
• Gain de courant (h_fe): 80 à 300
• Fréquence de transition minimum: 375 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-202

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du 2N6551 est le 2N6554.Le 2SC3444 (SOT-89), FMMTA05 (SOT-23) et KST05 (SOT-23) est la version SMD du transistor 2N6551.Vous pouvez remplacer le transistor 2N6551 par 2N6552 ou 2N6553.