Transistor bipolaire 2N6552

Caractéristiques électriques du transistor 2N6552

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 80 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 1 A
  • Dissipation de puissance maximum: 10 W
  • Gain de courant (hfe): 80 à 300
  • Fréquence de transition minimum: 375 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-202

Brochage du 2N6552

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N6552

Le transistor PNP complémentaire du 2N6552 est le 2N6555.

Version SMD du transistor 2N6552

Le 2SC3438 (SOT-89), FMMTA06 (SOT-23) et KST06 (SOT-23) est la version SMD du transistor 2N6552.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N6552

Vous pouvez remplacer le transistor 2N6552 par 2N6553.
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