Transistor bipolaire 2N6308

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 350 V
• Tension collecteur-base maximum: 700 V
• Tension émetteur-base maximum: 8 V
• Courant collecteur continu maximum: 8 A
• Dissipation de puissance maximum: 125 W
• Gain de courant (h_fe): 12 à 60
• Fréquence de transition minimum: 5 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-3

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Vous pouvez remplacer le transistor 2N6308 par 2N6545, 2N6547, 2N6677, 2N6678, BUX48, BUX48A, MJ12021, MJ12022, MJ16006, MJ16008 ou MJ8504.