Transistor bipolaire 2N6050

Caractéristiques électriques du transistor 2N6050

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -60 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -12 A
  • Dissipation de puissance maximum: 150 W
  • Gain de courant (hfe): 750 à 18000
  • Fréquence de transition minimum: 4 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
  • Boîtier: TO-3

Brochage du 2N6050

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor 2N6050

Le transistor NPN complémentaire du 2N6050 est le 2N6057.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N6050

Vous pouvez remplacer le transistor 2N6050 par 2N6051, 2N6052, 2N6052G, 2N6285, 2N6285G, 2N6286, 2N6286G, 2N6287, 2N6287G, 2SA907, BD316 ou BD318.
Si vous trouvez une erreur, veuillez envoyer un e-mail à mail@el-component.com