Transistor bipolaire 2N5681

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
• Tension collecteur-base maximum: 100 V
• Tension émetteur-base maximum: 4 V
• Courant collecteur continu maximum: 1 A
• Dissipation de puissance maximum: 10 W
• Gain de courant (h_fe): 40 à 150
• Fréquence de transition minimum: 30 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
• Boîtier: TO-39

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor PNP complémentaire du 2N5681 est le 2N5679.Vous pouvez remplacer le transistor 2N5681 par 2N5320, 2N5682 ou 2SC510.