Transistor bipolaire 2N5682
Caractéristiques électriques du transistor 2N5682
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 120 V
- Tension collecteur-base maximum: 120 V
- Tension émetteur-base maximum: 4 V
- Courant collecteur continu maximum: 1 A
- Dissipation de puissance maximum: 10 W
- Gain de courant (hfe): 40 à 150
- Fréquence de transition minimum: 30 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +200 °C
- Boîtier: TO-39
Brochage du 2N5682
Complémentaire du transistor 2N5682
Version SMD du transistor 2N5682
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