Transistor bipolaire 2N5657G

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 350 V
• Tension collecteur-base maximum: 375 V
• Tension émetteur-base maximum: 6 V
• Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
• Dissipation de puissance maximum: 20 W
• Gain de courant (h_fe): 30 à 250
• Fréquence de transition minimum: 10 MHz
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-126

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Vous pouvez remplacer le transistor 2N5657G par 2N5657, 2SC2899 ou BD129.