Transistor bipolaire 2N5657

Caractéristiques électriques du transistor 2N5657

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 350 V
  • Tension collecteur-base maximum: 375 V
  • Tension émetteur-base maximum: 6 V
  • Courant collecteur continu maximum: 0.5 A
  • Dissipation de puissance maximum: 20 W
  • Gain de courant (hfe): 30 à 250
  • Fréquence de transition minimum: 10 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-126

Brochage du 2N5657

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N5657

Vous pouvez remplacer le transistor 2N5657 par 2N5657G, 2SC2899 ou BD129.
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